3SK125Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 3SK125Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: SOT103
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам