Справочник MOSFET. IXTA200N085T

 

IXTA200N085T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA200N085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA200N085T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ixys
 ixta200n085t ixtp200n085t.pdf pdf_icon

IXTA200N085T

Preliminary Technical InformationIXTA 200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP 200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

 0.1. Size:163K  ixys
 ixta200n085t7.pdf pdf_icon

IXTA200N085T

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA200N085T7TrenchMVTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25C 200 A 7

 5.1. Size:198K  ixys
 ixta200n075t7.pdf pdf_icon

IXTA200N085T

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA200N075T7TrenchMVTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 5.2. Size:215K  ixys
 ixta200n075t ixtp200n075t.pdf pdf_icon

IXTA200N085T

Preliminary Technical InformationIXTA200N075TVDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP200N075TID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TK80A08K3 | 2SK1502 | IRFZ48RSPBF | 30N06G-TM3-T | IPP80N08S2-07 | 7N60L-TF1-T | SPP08N50C3

 

 
Back to Top

 


 
.