Справочник MOSFET. IXTA200N085T7

 

IXTA200N085T7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA200N085T7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA200N085T7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA200N085T7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
 ixta200n085t7.pdf pdf_icon

IXTA200N085T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA200N085T7TrenchMVTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25C 200 A 7

 2.1. Size:215K  ixys
 ixta200n085t ixtp200n085t.pdf pdf_icon

IXTA200N085T7

Preliminary Technical InformationIXTA 200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP 200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

 5.1. Size:198K  ixys
 ixta200n075t7.pdf pdf_icon

IXTA200N085T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA200N075T7TrenchMVTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 5.2. Size:215K  ixys
 ixta200n075t ixtp200n075t.pdf pdf_icon

IXTA200N085T7

Preliminary Technical InformationIXTA200N075TVDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP200N075TID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA1R4N120P , IXTA1R6N100D2 , IXTA1R6N50D2 , IXTA200N055T2 , IXTA200N055T2-7 , IXTA200N075T , IXTA200N075T7 , IXTA200N085T , 8N60 , IXTA220N04T2 , IXTA220N04T2-7 , IXTA220N055T , IXTA220N055T7 , IXTA220N075T , IXTA220N075T7 , IXTA230N075T2 , IXTA230N075T2-7 .

 

 
Back to Top

 


 
.