IXTA220N055T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA220N055T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA220N055T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA220N055T даташит

 ..1. Size:214K  ixys
 ixta220n055t ixtp220n055t.pdf pdf_icon

IXTA220N055T

Preliminary Technical Information IXTA220N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP220N055T ID25 = 220 A Power MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 T

 0.1. Size:197K  ixys
 ixta220n055t7.pdf pdf_icon

IXTA220N055T

Preliminary Technical Information VDSS = 55 V IXTA220N055T7 TrenchMVTM ID25 = 220 A Power MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25

 5.1. Size:175K  ixys
 ixta220n075t ixtp220n075t.pdf pdf_icon

IXTA220N055T

Preliminary Technical Information IXTA220N075T VDSS = 75 V TrenchMVTM IXTP220N075T ID25 = 220 A Power MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC = 25 C 2

 5.2. Size:163K  ixys
 ixta220n075t7.pdf pdf_icon

IXTA220N055T

Preliminary Technical Information VDSS = 75 V IXTA220N075T7 TrenchMVTM ID25 = 220 A Power MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25 C 220 A 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA200N055T2, IXTA200N055T2-7, IXTA200N075T, IXTA200N075T7, IXTA200N085T, IXTA200N085T7, IXTA220N04T2, IXTA220N04T2-7, EMB04N03H, IXTA220N055T7, IXTA220N075T, IXTA220N075T7, IXTA230N075T2, IXTA230N075T2-7, IXTA240N055T, IXTA240N055T7, IXTA24P085T