Справочник MOSFET. IXTA220N075T

 

IXTA220N075T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTA220N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXTA220N075T

 

 

IXTA220N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  ixys
 ixta220n075t ixtp220n075t.pdf

IXTA220N075T IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationIXTA220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP220N075T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C 2

 0.1. Size:163K  ixys
 ixta220n075t7.pdf

IXTA220N075T IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA220N075T7TrenchMVTMID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25C 220 A 7

 5.1. Size:214K  ixys
 ixta220n055t ixtp220n055t.pdf

IXTA220N075T IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationIXTA220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP220N055T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

 5.2. Size:197K  ixys
 ixta220n055t7.pdf

IXTA220N075T IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VIXTA220N055T7TrenchMVTMID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 

Back to Top