Справочник MOSFET. IXTA220N075T

 

IXTA220N075T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA220N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA220N075T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA220N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  ixys
 ixta220n075t ixtp220n075t.pdf pdf_icon

IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationIXTA220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP220N075T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C 2

 0.1. Size:163K  ixys
 ixta220n075t7.pdf pdf_icon

IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA220N075T7TrenchMVTMID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25C 220 A 7

 5.1. Size:214K  ixys
 ixta220n055t ixtp220n055t.pdf pdf_icon

IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationIXTA220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP220N055T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

 5.2. Size:197K  ixys
 ixta220n055t7.pdf pdf_icon

IXTA220N075T

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VIXTA220N055T7TrenchMVTMID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA200N075T , IXTA200N075T7 , IXTA200N085T , IXTA200N085T7 , IXTA220N04T2 , IXTA220N04T2-7 , IXTA220N055T , IXTA220N055T7 , 2N7002 , IXTA220N075T7 , IXTA230N075T2 , IXTA230N075T2-7 , IXTA240N055T , IXTA240N055T7 , IXTA24P085T , IXTA260N055T2 , IXTA260N055T2-7 .

 

 
Back to Top

 


 
.