Справочник MOSFET. IXTA220N075T7

 

IXTA220N075T7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTA220N075T7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 480 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 220 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 80 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXTA220N075T7

 

 

IXTA220N075T7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
ixta220n075t7.pdf

IXTA220N075T7
IXTA220N075T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA220N075T7TrenchMVTMID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25C 220 A 7

 2.1. Size:175K  ixys
ixta220n075t ixtp220n075t.pdf

IXTA220N075T7
IXTA220N075T7

Preliminary Technical InformationIXTA220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP220N075T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C 2

 5.1. Size:214K  ixys
ixta220n055t ixtp220n055t.pdf

IXTA220N075T7
IXTA220N075T7

Preliminary Technical InformationIXTA220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP220N055T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

 5.2. Size:197K  ixys
ixta220n055t7.pdf

IXTA220N075T7
IXTA220N075T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VIXTA220N055T7TrenchMVTMID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top