Справочник MOSFET. IXTA42N25P

 

IXTA42N25P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA42N25P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA42N25P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA42N25P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta42n25p ixtp42n25p ixtq42n25p.pdf pdf_icon

IXTA42N25P

IXTA 42N25P VDSS = 250 VPolarHTTMIXTP 42N25P ID25 = 42 APower MOSFET IXTQ 42N25P RDS(on) 84 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V (TAB)VGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient 3

 9.1. Size:196K  ixys
 ixta4n150hv.pdf pdf_icon

IXTA42N25P

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 9.2. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTA42N25P

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 9.3. Size:154K  ixys
 ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdf pdf_icon

IXTA42N25P

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA3N100D2 , IXTA3N100P , IXTA3N110 , IXTA3N120 , IXTA3N50D2 , IXTA3N50P , IXTA3N60P , IXTA42N15T , 2SK3878 , IXTA44P15T , IXTA460P2 , IXTA48N20T , IXTA48P05T , IXTA4N60P , IXTA4N80P , IXTA50N20P , IXTA50N25T .

History: UT3N10L-K08-3030-R | APM9950K | GSM1016 | STT600 | BSP170P | IRF2804LPBF | IRF2204PBF

 

 
Back to Top

 


 
.