Справочник MOSFET. IXTA48P05T

 

IXTA48P05T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA48P05T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA48P05T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  ixys
 ixty48p05t ixta48p05t ixtp48p05t.pdf pdf_icon

IXTA48P05T

TrenchPTM VDSS = - 50VIXTY48P05TID25 = - 48APower MOSFETIXTA48P05T RDS(on) 30m IXTP48P05TP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXTY)G SD (Tab)TO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 50 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 50 VD (Tab)VGSS Continuous 15

 9.1. Size:196K  ixys
 ixta4n150hv.pdf pdf_icon

IXTA48P05T

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 9.2. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTA48P05T

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 9.3. Size:154K  ixys
 ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdf pdf_icon

IXTA48P05T

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA3N50D2 , IXTA3N50P , IXTA3N60P , IXTA42N15T , IXTA42N25P , IXTA44P15T , IXTA460P2 , IXTA48N20T , K3569 , IXTA4N60P , IXTA4N80P , IXTA50N20P , IXTA50N25T , IXTA50N28T , IXTA52P10P , IXTA56N15T , IXTA5N50P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.