Справочник MOSFET. IXTA76P10T

 

IXTA76P10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA76P10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA76P10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA76P10T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:177K  ixys
 ixta76n075t ixtp76n075t.pdf pdf_icon

IXTA76P10T

Preliminary Technical InformationIXTA76N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP76N075T ID25 = 76 APower MOSFET RDS(on) 12 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C76 A

 9.1. Size:252K  ixys
 ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf pdf_icon

IXTA76P10T

IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient

 9.2. Size:182K  ixys
 ixta7n60p ixtp7n60p.pdf pdf_icon

IXTA76P10T

VDSS = 600 VIXTA 7N60PPolarHVTMID25 = 7 AIXTP 7N60PPower MOSFET RDS(on) 1.1 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 V(TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25 C7 A

 9.3. Size:175K  ixys
 ixta70n085t ixtp70n085t.pdf pdf_icon

IXTA76P10T

Preliminary Technical InformationIXTA70N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP70N085T ID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 13.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C70 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA6N100D2 , IXTA6N50D2 , IXTA6N50P , IXTA70N075T2 , IXTA70N085T , IXTA75N10P , IXTA76N075T , IXTA76N25T , IRLZ44N , IXTA7N60P , IXTA80N10T , IXTA80N10T7 , IXTA80N12T2 , IXTA86N20T , IXTA88N085T , IXTA88N085T7 , IXTA8N50P .

History: NVMFD5C466NL | APT50M50L2LLG

 

 
Back to Top

 


 
.