IXTA80N10T7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA80N10T7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA80N10T7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA80N10T7 даташит

 ..1. Size:163K  ixys
 ixta80n10t7.pdf pdf_icon

IXTA80N10T7

Preliminary Technical Information VDSS = 100 V IXTA80N10T7 TrenchMVTM ID25 = 80 A Power MOSFET RDS(on) 14 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGSM Transient 30 V 1 ID25 TC = 25 C80 A 7 I

 4.1. Size:184K  ixys
 ixta80n10t ixtp80n10t.pdf pdf_icon

IXTA80N10T7

TrenchMVTM VDSS = 100V IXTA80N10T Power MOSFET ID25 = 80A IXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 100 V TO-220AB (IXTP) VGSS Continuous 20 V VGSM Transien

 7.1. Size:168K  ixys
 ixta80n075l2 ixth80n075l2 ixtp80n075l2.pdf pdf_icon

IXTA80N10T7

Advance Technical Information LinearL2TM Power VDSS = 75V IXTA80N075L2 MOSFETs w/Extended ID25 = 80A IXTP80N075L2 RDS(on) 24m FBSOA IXTH80N075L2 N-Channel Enhancement Mode TO-263AA (IXTA) Guaranteed FBSOA Avalanche Rated G S D (Tab) TO-220AB (IXTP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 75 V VDGR TJ = 25

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
 ixta80n075l2.pdf pdf_icon

IXTA80N10T7

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA80N075L2 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA70N075T2, IXTA70N085T, IXTA75N10P, IXTA76N075T, IXTA76N25T, IXTA76P10T, IXTA7N60P, IXTA80N10T, NCEP15T14, IXTA80N12T2, IXTA86N20T, IXTA88N085T, IXTA88N085T7, IXTA8N50P, IXTA90N055T, IXTA90N055T2, IXTA90N075T2