Справочник MOSFET. IXTA80N10T7

 

IXTA80N10T7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTA80N10T7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXTA80N10T7

 

 

IXTA80N10T7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
 ixta80n10t7.pdf

IXTA80N10T7 IXTA80N10T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 100 VIXTA80N10T7TrenchMVTMID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 14 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25C80 A 7I

 4.1. Size:184K  ixys
 ixta80n10t ixtp80n10t.pdf

IXTA80N10T7 IXTA80N10T7

TrenchMVTM VDSS = 100VIXTA80N10TPower MOSFET ID25 = 80AIXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VTO-220AB (IXTP)VGSS Continuous 20 VVGSM Transien

 7.1. Size:168K  ixys
 ixta80n075l2 ixth80n075l2 ixtp80n075l2.pdf

IXTA80N10T7 IXTA80N10T7

Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 75VIXTA80N075L2MOSFETs w/Extended ID25 = 80AIXTP80N075L2 RDS(on) 24m FBSOAIXTH80N075L2N-Channel Enhancement ModeTO-263AA (IXTA)Guaranteed FBSOAAvalanche RatedGSD (Tab)TO-220AB (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 75 VVDGR TJ = 25

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
 ixta80n075l2.pdf

IXTA80N10T7 IXTA80N10T7

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA80N075L2FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top