Справочник MOSFET. IXTA90N055T

 

IXTA90N055T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTA90N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 61 nC
   Время нарастания (tr): 70 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXTA90N055T

 

 

IXTA90N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf

IXTA90N055T IXTA90N055T

Preliminary Technical InformationIXTA90N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP90N055T ID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC =

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top