3SK133 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3SK133

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.025 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 70 Ohm

Тип корпуса: SOT143

Аналог (замена) для 3SK133

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK133 даташит

 ..1. Size:170K  1
 3sk127 3sk128 3sk129 3sk132 3sk133 3sk141 3sk156.pdf pdf_icon

3SK133

 0.1. Size:127K  1
 3sk133a.pdf pdf_icon

3SK133

 9.1. Size:39K  1
 3sk135a.pdf pdf_icon

3SK133

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 3SK135A RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD PACKAGE DIMENSIONS FEATURES in millimeters Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner. +0.2 Low Crss 0.02 pF TYP. 2.8 0.3 +0.2 High Gps 18 dB TYP. 1.5 0.1 Low NF 2.7 dB TYP. +0.1 ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:69K  1
 3sk137v.pdf pdf_icon

3SK133

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 3SK125Q, 3SK128P, 3SK128Q, 3SK128R, 3SK129, 3SK131, 3SK132, 3SK132A, IRLB3034, 3SK133A, 3SK134B, 3SK135A, 3SK136, 3SK137, 3SK137V, 3SK138, 3SK139P