Справочник MOSFET. IXTA90N15T

 

IXTA90N15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA90N15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA90N15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA90N15T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf pdf_icon

IXTA90N15T

Preliminary Technical InformationIXTA90N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP90N055T ID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC =

Другие MOSFET... IXTA80N12T2 , IXTA86N20T , IXTA88N085T , IXTA88N085T7 , IXTA8N50P , IXTA90N055T , IXTA90N055T2 , IXTA90N075T2 , P0903BDG , IXTA96P085T , IXTA98N075T , IXTA98N075T7 , IXTB30N100L , IXTB62N50L , IXTC110N055T , IXTC110N25T , IXTC13N50 .

History: PHU66NQ03LT | MDV1525URH | 2SJ132-Z | BUK6D120-60P | VBL2625 | TPCA8104 | IPA126N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.