IXTC13N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTC13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 600 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS220

Аналог (замена) для IXTC13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC13N50 даташит

 9.1. Size:186K  ixys
 ixtc110n25t.pdf pdf_icon

IXTC13N50

Trench Gate VDSS = 250V IXTC110N25T Power MOSFET ID25 = 50A RDS(on) 27m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS220 (IXTC) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V VGSS Continuous 20 V G VGSM Transient 30 V D

 9.2. Size:187K  ixys
 ixtc160n10t.pdf pdf_icon

IXTC13N50

Preliminary Technical Information IXTC160N10T VDSS = 100 V TrenchMVTM ID25 = 83 A Power MOSFET RDS(on) 7.5 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220 (IXTC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGSM Transient

Другие IGBT... IXTA90N15T, IXTA96P085T, IXTA98N075T, IXTA98N075T7, IXTB30N100L, IXTB62N50L, IXTC110N055T, IXTC110N25T, 20N50, IXTC160N10T, IXTC180N085T, IXTC180N10T, IXTC200N075T, IXTC200N085T, IXTC200N10T, IXTC220N055T, IXTC220N075T