IXTC36P15P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTC36P15P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS220

Аналог (замена) для IXTC36P15P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC36P15P даташит

No data!

Другие IGBT... IXTC200N10T, IXTC220N055T, IXTC220N075T, IXTC230N085T, IXTC240N055T, IXTC250N075T, IXTC26N50P, IXTC280N055T, IRFZ48N, IXTC62N15P, IXTC75N10, IXTC96N25T, IXTD110N25T-8W, IXTE250N10, IXTF03N400, IXTF1N250, IXTF1N400