IXTF280N055T datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IXTF280N055T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS I4PAK
Аналог (замена) для IXTF280N055T
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXTF280N055T даташит
ixtf280n055t.pdf
Advance Technical Information VDSS = 55 V IXTF280N055T TrenchMVTM ID25 = 160 A Power MOSFET RDS(on) 4.0 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) VDSS TJ = 25 C to 175 C 55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transie
ixtf250n075t.pdf
Advance Technical Information VDSS = 75 V IXTF250N075T TrenchMVTM ID25 = 140 A Power MOSFET 4.4 RDS(on) 4.4 m 4.4 4.4 4.4 (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75
ixtf230n085t.pdf
Advance Technical Information VDSS = 85 V IXTF230N085T TrenchMVTM ID25 = 130 A Power MOSFET RDS(on) 5.3 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Tran
Другие IGBT... IXTD110N25T-8W, IXTE250N10, IXTF03N400, IXTF1N250, IXTF1N400, IXTF200N10T, IXTF230N085T, IXTF250N075T, AO4407A, IXTH02N250, IXTH03N400, IXTH102N15T, IXTH102N20T, IXTH10N100D, IXTH10N100D2, IXTH10P50P, IXTH10P60
History: KNP6180A | IXTA96P085T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526



