IXTH10N100D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTH10N100D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXTH10N100D
IXTH10N100D Datasheet (PDF)
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf
VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N
Другие MOSFET... IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T , IXTH02N250 , IXTH03N400 , IXTH102N15T , IXTH102N20T , IRFZ44N , IXTH10N100D2 , IXTH10P50P , IXTH10P60 , IXTH110N10L2 , IXTH110N25T , IXTH120P065T , IXTH12N100L , IXTH12N100Q .
History: AOTF8N65 | AOTF7T60P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
Popular searches
bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229