IXTH10N100D - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IXTH10N100D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IXTH10N100D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 400 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH10N100D

IXTH10N100D Datasheet (PDF)

4.1. Size:105K ixys
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

7.1. Size:64K ixys
ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf