Справочник MOSFET. IXTH160N15T

 

IXTH160N15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH160N15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH160N15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH160N15T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  ixys
 ixth160n15t.pdf pdf_icon

IXTH160N15T

Preliminary Technical InformationIXTH160N15T VDSS = 150 VTrenchHVTMID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 9.6 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247VDSS TJ = 25C to 175C 150 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1M 150 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 160 AG(TAB)ILRMS Lead Curr

 5.1. Size:186K  ixys
 ixth160n10t ixtq160n10t.pdf pdf_icon

IXTH160N15T

Preliminary Technical InformationIXTH160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTQ160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DSVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 VTO-3P (IXTQ)

 6.1. Size:184K  ixys
 ixth160n075t ixtq160n075t.pdf pdf_icon

IXTH160N15T

Preliminary Technical InformationIXTH160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTQ160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 175C 75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 160 AD (TAB

 8.1. Size:43K  ixys
 ixth16p20.pdf pdf_icon

IXTH160N15T

IXTH 16P20VDSS = -200 VStandard Power MOSFETID25 = -16 AP-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 0.16 Avalanche RatedPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C -16 AIDM TC = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH130N15T , IXTH130N20T , IXTH140P05T , IXTH150N17T , IXTH152N085T , IXTH15N50L2 , IXTH160N075T , IXTH160N10T , IRFB4110 , IXTH16N10D2 , IXTH16N20D2 , IXTH16N50D2 , IXTH16P20 , IXTH16P60P , IXTH180N085T , IXTH180N10T , IXTH182N055T .

History: MDP2N60TH | H7N0308LS

 

 
Back to Top

 


 
.