IXTH200N075T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH200N075T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 430 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXTH200N075T
IXTH200N075T Datasheet (PDF)
ixth200n075t ixtq200n075t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH200N075T VDSS = 75 VTrench GateIXTQ200N075T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 200 AILRMS
ixth200n085t ixtq200n085t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 20
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf
Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine
ixth20n60 ixtm20n60.pdf
IXTH 20N60 VDSS = 600 VMegaMOSTMFETIXTM 20N60 ID25 = 20 ARDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 15N60 15 ATO-204 AE (IXTM)20N60 20 AIDM TC = 25C, p
ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf
Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTA20N65XPower MOSFET ID25 = 20AIXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65XN-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVG
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
