Справочник MOSFET. IXTH26P20P

 

IXTH26P20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH26P20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 240 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH26P20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
ixta26p20p ixth26p20p ixtp26p20p ixtq26p20p.pdfpdf_icon

IXTH26P20P

Preliminary Technical InformationIXTA26P20P VDSS = - 200VPolarPTMIXTH26P20P ID25 = - 26APower MOSFET IXTP26P20P RDS(on) 170m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTQ26P20PTO-263 (IXTA) TO-247 (IXTH) TO-220 (IXTP)GSGD(TAB)D(TAB)GD(TAB)DS DSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 175

 8.1. Size:230K  ixys
ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdfpdf_icon

IXTH26P20P

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran

 8.2. Size:166K  ixys
ixth260n055t2.pdfpdf_icon

IXTH26P20P

Preliminary Technical InformationVDSS = 55VTrenchT2TM PowerIXTH260N055T2ID25 = 260AMOSFET RDS(on) 3.3m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VGVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 55 V (TAB)DSVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 260 AG = Gate D =

 9.1. Size:202K  ixys
ixth2n300p3hv ixtt2n300p3hv.pdfpdf_icon

IXTH26P20P

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT2N300P3HVPower MOSFETID25 = 2AIXTH2N300P3HV RDS(on) 21 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VV

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.