IXTH48P20P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH48P20P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH48P20P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH48P20P даташит

 8.1. Size:113K  ixys
 ixth48n65x2.pdf pdf_icon

IXTH48P20P

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTH48N65X2 Power MOSFET ID25 = 48A RDS(on) 68m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S = Source Tab = Drain VGSS Continu

 8.2. Size:114K  ixys
 ixth48n15.pdf pdf_icon

IXTH48P20P

Advance Technical Information IXTH 48N15 VDSS = 150 V High Current IXTT 48N15 ID25 = 48 A Power MOSFET RDS(on) = 32 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 150 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C48 A IDM TC =

 9.1. Size:107K  ixys
 ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTH48P20P

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Tra

 9.2. Size:187K  ixys
 ixth440n055t2 tt440n055t2.pdf pdf_icon

IXTH48P20P

Advance Technical Information TrenchT2TM VDSS = 55V IXTH440N055T2 ID25 = 440A Power MOSFET IXTT440N055T2 RDS(on) 1.8m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXTH) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D D (Tab) S VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 55 V VGSS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH40N50L2, IXTH41N25, IXTH420N04T2, IXTH440N055T2, IXTH44P15T, IXTH450P2, IXTH460P2, IXTH48N20, 2N60, IXTH4N150, IXTH500N04T2, IXTH50N25T, IXTH50N30, IXTH50P085, IXTH50P10, IXTH52P10P, IXTH60N10