IXTH60N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTH60N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
trⓘ - Время нарастания: 150 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IXTH60N10 Datasheet (PDF)
ixth60n15.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTH60N15FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150 VDSSV Gat
ixtt60n20l2-ixtq60n20l2-ixth60n20l2.pdf

Advance Technical InformationLinear L2TM Power VDSS = 200VIXTT60N20L2MOSFET w/ Extended ID25 = 60AIXTQ60N20L2 RDS(on) 45m FBSOAIXTH60N20L2TO-268 (IXTT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS
ixth60n20l2.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXTH60N20L2FEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360