Справочник MOSFET. IXTH88N15

 

IXTH88N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH88N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 170 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH88N15 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:324K  ixys
 ixth88n30p ixtk88n30p ixtt88n30p ixtq88n30p.pdf pdf_icon

IXTH88N15

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

 7.2. Size:365K  ixys
 ixth88n30p ixtk88n30p ixtq88n30p ixtt88n30p.pdf pdf_icon

IXTH88N15

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

 9.1. Size:74K  1
 ixth7p50 ixth8p50.pdf pdf_icon

IXTH88N15

VDSS ID25 RDS(on)IXTH 7P50 -500V -7 A 1.5 Standard Power MOSFETIXTH 8P50 -500V -8 A 1.2 P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 7P50 -7 A8P50 -8 AIDM TC = 25C, pulse w

 9.2. Size:113K  ixys
 ixth80n65x2.pdf pdf_icon

IXTH88N15

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTH80N65X2Power MOSFETTM ID25 = 80A RDS(on) 40m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247GSymbol Test Conditions Maximum Ratings DSD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VG = Gate D = DrainS = Source Tab = DrainVGSS Contin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STB40NF20 | SRT06N095LMG | STP5NB40 | CMUDM7005 | RFP15N06L | IRFR5410PBF | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.