IXTK5N250 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK5N250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 2500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.8 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK5N250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK5N250 даташит

No data!

Другие IGBT... IXTK20N140, IXTK22N100L, IXTK250N10, IXTK32P60P, IXTK34N80, IXTK40P50P, IXTK46N50L, IXTK550N055T2, IRF9540N, IXTK600N04T2, IXTK60N50L2, IXTK62N25, IXTK75N30, IXTK80N25, IXTK82N25P, IXTK88N30P, IXTK8N150L