Справочник MOSFET. IXTK82N25P

 

IXTK82N25P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK82N25P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXTK82N25P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK82N25P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ixys
 ixtt82n25p ixtq82n25p ixtk82n25p.pdf pdf_icon

IXTK82N25P

VDSS = 250VIXTT82N25PPolarTMID25 = 82AIXTQ82N25PPower MOSFET RDS(on) 38m IXTK82N25PTO-268 (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VTO-3P( IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Transient

 ..2. Size:294K  ixys
 ixtk82n25p ixtq82n25p ixtt82n25p.pdf pdf_icon

IXTK82N25P

IXTK 82N25P VDSS = 250 VPolarHTTMIXTQ 82N25P ID25 = 82 APower MOSFET IXTT 82N25P RDS(on) 35 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25

 9.1. Size:324K  ixys
 ixth88n30p ixtk88n30p ixtt88n30p ixtq88n30p.pdf pdf_icon

IXTK82N25P

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

 9.2. Size:365K  ixys
 ixth88n30p ixtk88n30p ixtq88n30p ixtt88n30p.pdf pdf_icon

IXTK82N25P

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK5N250 , IXTK600N04T2 , IXTK60N50L2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTK80N25 , 2SK3568 , IXTK88N30P , IXTK8N150L , IXTK90N15 , IXTK90N25L2 , IXTK90P20P , IXTL2x180N10T , IXTL2x200N085T , IXTL2x220N075T .

History: PMV15ENEA | TSJ10N10AT | BUK9628-55A | NCE0160AG | HUF76629D3ST | 6N65KL-TMS4-T

 

 
Back to Top

 


 
.