Справочник MOSFET. IXTK88N30P

 

IXTK88N30P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTK88N30P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 88 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
   Время нарастания (tr): 250 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXTK88N30P

 

 

IXTK88N30P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  ixys
ixth88n30p ixtk88n30p ixtt88n30p ixtq88n30p.pdf

IXTK88N30P IXTK88N30P

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

 ..2. Size:365K  ixys
ixth88n30p ixtk88n30p ixtq88n30p ixtt88n30p.pdf

IXTK88N30P IXTK88N30P

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

 9.1. Size:159K  ixys
ixtt82n25p ixtq82n25p ixtk82n25p.pdf

IXTK88N30P IXTK88N30P

VDSS = 250VIXTT82N25PPolarTMID25 = 82AIXTQ82N25PPower MOSFET RDS(on) 38m IXTK82N25PTO-268 (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VTO-3P( IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Transient

 9.2. Size:294K  ixys
ixtk82n25p ixtq82n25p ixtt82n25p.pdf

IXTK88N30P IXTK88N30P

IXTK 82N25P VDSS = 250 VPolarHTTMIXTQ 82N25P ID25 = 82 APower MOSFET IXTT 82N25P RDS(on) 35 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top