IXTK90N25L2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTK90N25L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 266 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK90N25L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK90N25L2 даташит

No data!

Другие IGBT... IXTK60N50L2, IXTK62N25, IXTK75N30, IXTK80N25, IXTK82N25P, IXTK88N30P, IXTK8N150L, IXTK90N15, 13N50, IXTK90P20P, IXTL2x180N10T, IXTL2x200N085T, IXTL2x220N075T, IXTL2x240N055T, IXTN110N20L2, IXTN120N25, IXTN170P10P