Справочник MOSFET. IXTP02N50D

 

IXTP02N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP02N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP02N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ixys
ixtp02n50d ixtu02n50d ixty02n50d.pdfpdf_icon

IXTP02N50D

IXTP 02N50DVDSS = 500 VHigh Voltage MOSFETIXTU 02N50DID25 = 200 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 02N50DRDS(on) = 30 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVDGX TJ = 25C to 150C 500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VGDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to 150C

 7.1. Size:123K  ixys
ixty02n120p ixtp02n120p.pdfpdf_icon

IXTP02N50D

Advance Technical InformationPolarTM VDSS = 1200VIXTP02N120PID25 = 0.2APower MOSFETIXTY02N120P RDS(on) 75 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDD (Tab)SVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1200 VTO-252 (IXTY)VGSS Continuous 20 VVGSM

 9.1. Size:177K  ixys
ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdfpdf_icon

IXTP02N50D

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdfpdf_icon

IXTP02N50D

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NTLJD3119CTAG | CHM4955JGP | KXF2955 | SSM5H90ATU | FL6L5201 | HAF2012 | STP60N05-14

 

 
Back to Top

 


 
.