Справочник MOSFET. IXTP16N50P

 

IXTP16N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP16N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXTP16N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP16N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ixys
 ixta16n50p ixtp16n50p ixtq16n50p.pdf pdf_icon

IXTP16N50P

IXTA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXTQ 16N50P RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25C16 A

 8.1. Size:133K  ixys
 ixtp160n085t.pdf pdf_icon

IXTP16N50P

Advance Technical InformationIXTQ 160N085T VDSS = 85 VTrench GateIXTA 160N085T ID25 = 160 APower MOSFETIXTP 160N085T RDS(on) = 6.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 160 AIDRM

 8.2. Size:174K  ixys
 ixta160n10t ixtp160n10t.pdf pdf_icon

IXTP16N50P

Preliminary Technical InformationIXTA160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTP160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V

 8.3. Size:174K  ixys
 ixta160n075t ixtp160n075t.pdf pdf_icon

IXTP16N50P

Preliminary Technical InformationIXTA160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 V S D (TAB)ID25 TC = 25C 16

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTP14N60P , IXTP14N60PM , IXTP152N085T , IXTP15N50L2 , IXTP15P15T , IXTP160N04T2 , IXTP160N075T , IXTP160N10T , IRF540N , IXTP16N50PM , IXTP170N075T2 , IXTP180N085T , IXTP180N10T , IXTP182N055T , IXTP18N60PM , IXTP18P10T , IXTP1N100P .

History: 2SK3868 | NCEP018N60D

 

 
Back to Top

 


 
.