IXTP180N10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTP180N10T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP180N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP180N10T даташит

 ..1. Size:154K  ixys
 ixta180n10t ixtp180n10t.pdf pdf_icon

IXTP180N10T

IXTA180N10T VDSS = 100V TrenchMVTM IXTP180N10T ID25 = 180A Power MOSFET RDS(on) 6.4m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V TO-220 (IXTP) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 100 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 180 A ILRMS Lead Cur

 6.1. Size:108K  ixys
 ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf pdf_icon

IXTP180N10T

Advance Technical Information IXTQ 180N055T VDSS = 55 V Trench Gate IXTA 180N055T ID25 = 180 A Power MOSFET IXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 m N-Channel Enhancement Mode TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V G VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V D (TAB) S VGSM 20 V TO-220 (IXTP) ID25 TC = 25 C 180 A IDRM

 6.2. Size:214K  ixys
 ixta180n085t ixtp180n085t.pdf pdf_icon

IXTP180N10T

Preliminary Technical Information IXTA180N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTP180N085T ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 T

 8.1. Size:221K  ixys
 ixta182n055t ixtp182n055t.pdf pdf_icon

IXTP180N10T

Preliminary Technical Information IXTA182N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP182N055T ID25 = 182 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTP15P15T, IXTP160N04T2, IXTP160N075T, IXTP160N10T, IXTP16N50P, IXTP16N50PM, IXTP170N075T2, IXTP180N085T, IRF640, IXTP182N055T, IXTP18N60PM, IXTP18P10T, IXTP1N100P, IXTP1N120P, IXTP1N80, IXTP1N80P, IXTP1R4N100P