Справочник MOSFET. IXTP200N055T2

 

IXTP200N055T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTP200N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXTP200N055T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP200N055T2 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:215K  ixys
 ixta200n085t ixtp200n085t.pdf pdf_icon

IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationIXTA 200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP 200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

 5.2. Size:215K  ixys
 ixta200n075t ixtp200n075t.pdf pdf_icon

IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationIXTA200N075TVDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP200N075TID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

 8.1. Size:127K  ixys
 ixtp20n65xm.pdf pdf_icon

IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTP20N65XMPower MOSFET ID25 = 9A RDS(on) 210m N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGDSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG = Gate D = DrainVGSM Transient 40 VS = So

 8.2. Size:231K  ixys
 ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf pdf_icon

IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTA20N65XPower MOSFET ID25 = 20AIXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65XN-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTP1N80 , IXTP1N80P , IXTP1R4N100P , IXTP1R4N120P , IXTP1R4N60P , IXTP1R6N100D2 , IXTP1R6N50D2 , IXTP1R6N50P , 2SK3878 , IXTP200N075T , IXTP200N085T , IXTP220N04T2 , IXTP220N055T , IXTP220N075T , IXTP22N50PM , IXTP230N075T2 , IXTP240N055T .

History: HUF75345S3S

 

 
Back to Top

 


 
.