Справочник MOSFET. IXTP200N055T2

 

IXTP200N055T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTP200N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 109 nC
   Время нарастания (tr): 49 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXTP200N055T2

 

 

IXTP200N055T2 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:215K  ixys
ixta200n085t ixtp200n085t.pdf

IXTP200N055T2 IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationIXTA 200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP 200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

 5.2. Size:215K  ixys
ixta200n075t ixtp200n075t.pdf

IXTP200N055T2 IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationIXTA200N075TVDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP200N075TID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

 8.1. Size:127K  ixys
ixtp20n65xm.pdf

IXTP200N055T2 IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTP20N65XMPower MOSFET ID25 = 9A RDS(on) 210m N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGDSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG = Gate D = DrainVGSM Transient 40 VS = So

 8.2. Size:231K  ixys
ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf

IXTP200N055T2 IXTP200N055T2

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTA20N65XPower MOSFET ID25 = 20AIXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65XN-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVG

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top