IXTP32P20T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP32P20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXTP32P20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP32P20T даташит

 8.1. Size:130K  ixys
 ixtp32n65xm.pdf pdf_icon

IXTP32P20T

Preliminary Technical Information X-Class VDSS = 650V IXTP32N65XM Power MOSFET ID25 = 14A RDS(on) 135m N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDED Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS Continuous 30 V G = Gate D = Drain VGSM Transient 40 V S = S

 8.2. Size:212K  ixys
 ixth32n65x ixtp32n65x ixtq32n65x.pdf pdf_icon

IXTP32P20T

Preliminary Technical Information X-Class VDSS = 650V IXTP32N65X Power MOSFET ID25 = 32A IXTQ32N65X RDS(on) 135m IXTH32N65X N-Channel Enhancement Mode TO-220AB (IXTP) G D Tab S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V G VGSS Continuous 30 V

 9.1. Size:237K  ixys
 ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf pdf_icon

IXTP32P20T

IXTA 3N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTP 3N50P ID25 = 3.6 A Power MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS 30 V VGSM 40 V (TAB) G D S ID25 TC = 25 C 3.6 A IDM

 9.2. Size:168K  ixys
 ixta3n50d2-ixtp3n50d2.pdf pdf_icon

IXTP32P20T

Depletion Mode VDSX = 500V IXTA3N50D2 MOSFET ID(on) > 3A IXTP3N50D2 RDS(on) 1.5 N-Channel TO-263 AA (IXTA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSX TJ = 25 C to 150 C 500 V D (Tab) VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V TO-220AB (IXTP) PD TC = 25 C 125 W TJ - 55 ... +150 C TJM 150 C Tstg - 55 ... +150 C G D D (Tab)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTP2N100P, IXTP2N60P, IXTP2N80P, IXTP2R4N120P, IXTP2R4N50P, IXTP300N04T2, IXTP32N20T, IXTP32P05T, IRF1010E, IXTP36N30P, IXTP36P15P, IXTP3N100D2, IXTP3N100P, IXTP3N110, IXTP3N120, IXTP3N50D2, IXTP3N50P