Справочник MOSFET. IXTP50N085T

 

IXTP50N085T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTP50N085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXTP50N085T

 

 

IXTP50N085T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  ixys
 ixtp50n085t ixty50n085t.pdf

IXTP50N085T IXTP50N085T

Preliminary Technical InformationIXTP50N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTY50N085T ID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 23 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 V

 7.1. Size:230K  ixys
 ixta50n25t ixtq50n25t ixtp50n25t ixth50n25t.pdf

IXTP50N085T IXTP50N085T

IXTA50N25T IXTQ50N25TTrench Gate VDSS = 250VIXTP50N25T IXTH50N25TID25 = 50APower MOSFET RDS(on) 60m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP) TO-3P (IXTQ)G GDSSGD (Tab)DD (Tab) D (Tab)STO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.1. Size:120K  ixys
 ixta5n60p ixtp5n60p.pdf

IXTP50N085T IXTP50N085T

VDSS = 600 VIXTA 5N60PPolarHVTMID25 = 5 AIXTP 5N60PPower MOSFET RDS(on) 1.7 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C 600 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VS(TAB)ID25 TC = 25C5 ATO-220 (I

 9.2. Size:186K  ixys
 ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdf

IXTP50N085T IXTP50N085T

PolarPTM VDSS = - 100VIXTA52P10PID25 = - 52APower MOSFETsIXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10PP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTH52P10PTO-3P (IXTQ)TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP)DGGGSDG SSD (Tab)D D (Tab)S TabSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 2

 9.3. Size:169K  ixys
 ixtp55n075t ixty55n075t.pdf

IXTP50N085T IXTP50N085T

Preliminary Technical InformationIXTP55N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTY55N075T ID25 = 55 APower MOSFET RDS(on) 19.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF1404 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top