3SK180-6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3SK180-6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm

Тип корпуса: SOT143

Аналог (замена) для 3SK180-6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK180-6 даташит

 8.1. Size:172K  sanyo
 3sk180.pdf pdf_icon

3SK180-6

Ordering number ENN2129B N-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate) 3SK180 High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit mm 2046A Features [3SK180] 1.9 High power gain and low noise figure. 0.95 0.95 High forward transfer admittance. 0.4 0.16 4 3 0 to 0.1 1 2 0.6 0.95 0.85 1 Drain 2.9 2 Source

 9.1. Size:181K  1
 3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdf pdf_icon

3SK180-6

 9.2. Size:474K  1
 3sk181.pdf pdf_icon

3SK180-6

 9.3. Size:32K  1
 3sk186.pdf pdf_icon

3SK180-6

3SK186 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Application UHF TV tuner RF amplifier Outline MPAK-4 2 3 1 1. Source 4 2. Gate1 3. Gate2 4. Drain 3SK186 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 12 V Gate 1 to source voltage VG1S 10 V Gate 2 to source voltage VG2S 10 V Drain current ID 35 mA Channel power dissipation Pch 15

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 3SK169P, 3SK169Q, 3SK17, 3SK171, 3SK179, 3SK180, 3SK180-4, 3SK180-5, IRFB4227, 3SK181, 3SK181-4, 3SK181-5, 3SK181-6, 3SK182, 3SK186, 3SK192P, 3SK192Q