IXTP55N075T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTP55N075T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXTP55N075T
IXTP55N075T Datasheet (PDF)
ixtp55n075t ixty55n075t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTP55N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTY55N075T ID25 = 55 APower MOSFET RDS(on) 19.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V
ixta5n60p ixtp5n60p.pdf

VDSS = 600 VIXTA 5N60PPolarHVTMID25 = 5 AIXTP 5N60PPower MOSFET RDS(on) 1.7 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C 600 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VS(TAB)ID25 TC = 25C5 ATO-220 (I
ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdf

PolarPTM VDSS = - 100VIXTA52P10PID25 = - 52APower MOSFETsIXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10PP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTH52P10PTO-3P (IXTQ)TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP)DGGGSDG SSD (Tab)D D (Tab)S TabSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 2
ixtp50n085t ixty50n085t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTP50N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTY50N085T ID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 23 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 V
Другие MOSFET... IXTP4N60P , IXTP4N80P , IXTP50N085T , IXTP50N20P , IXTP50N20PM , IXTP50N25T , IXTP50N28T , IXTP52P10P , AON6380 , IXTP56N15T , IXTP5N50P , IXTP5N60P , IXTP60N10T , IXTP60N10TM , IXTP60N20T , IXTP60N28TM-A , IXTP62N15P .
History: SSH6N70 | STB200N4F3 | AOD3T40P | IRF5806 | IPL65R650C6S | HY1506I | IPI65R280E6
History: SSH6N70 | STB200N4F3 | AOD3T40P | IRF5806 | IPL65R650C6S | HY1506I | IPI65R280E6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet