IXTP62N15P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTP62N15P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXTP62N15P
IXTP62N15P Datasheet (PDF)
ixta62n15p ixtp62n15p ixtq62n15p.pdf

IXTA 62N15P VDSS = 150 VPolarHTTMIXTP 62N15P ID25 = 62 APower MOSFETIXTQ 62N15P RDS(on) 40 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VGSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220 (I
ixta6n50d2 ixtp6n50d2 ixth6n50d2.pdf

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 500VIXTA6N50D2MOSFET ID(on) > 6AIXTP6N50D2 RDS(on) 500m IXTH6N50D2N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 300 WGDD (Tab)TJ - 55 .
ixtp64n055t ixty64n055t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTP64N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTY64N055T ID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VTO-252 (IXTY)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VG
ixta64n10l2 ixth64n10l2 ixtp64n10l2.pdf

Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 100VIXTA64N10L2MOSFETs w/Extended ID25 = 64AIXTP64N10L2 RDS(on) 32m FBSOAIXTH64N10L2N-Channel Enhancement ModeTO-263AA (IXTA)Guaranteed FBSOAAvalanche RatedGSD (Tab)TO-220AB (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C
Другие MOSFET... IXTP55N075T , IXTP56N15T , IXTP5N50P , IXTP5N60P , IXTP60N10T , IXTP60N10TM , IXTP60N20T , IXTP60N28TM-A , NCEP15T14 , IXTP64N055T , IXTP6N100D2 , IXTP6N50D2 , IXTP6N50P , IXTP70N075T2 , IXTP70N085T , IXTP75N10P , IXTP76N075T .
History: KTK5132V | MTDN5820Z6 | GT110N06D5 | SI4558DY | MTDN9971Q8 | TPC6003
History: KTK5132V | MTDN5820Z6 | GT110N06D5 | SI4558DY | MTDN9971Q8 | TPC6003



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827