IXTP64N055T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTP64N055T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO220
IXTP64N055T Datasheet (PDF)
ixtp64n055t ixty64n055t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTP64N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTY64N055T ID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VTO-252 (IXTY)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VG
ixta64n10l2 ixth64n10l2 ixtp64n10l2.pdf

Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 100VIXTA64N10L2MOSFETs w/Extended ID25 = 64AIXTP64N10L2 RDS(on) 32m FBSOAIXTH64N10L2N-Channel Enhancement ModeTO-263AA (IXTA)Guaranteed FBSOAAvalanche RatedGSD (Tab)TO-220AB (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C
ixta62n15p ixtp62n15p ixtq62n15p.pdf

IXTA 62N15P VDSS = 150 VPolarHTTMIXTP 62N15P ID25 = 62 APower MOSFETIXTQ 62N15P RDS(on) 40 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VGSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220 (I
ixta6n50d2 ixtp6n50d2 ixth6n50d2.pdf

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 500VIXTA6N50D2MOSFET ID(on) > 6AIXTP6N50D2 RDS(on) 500m IXTH6N50D2N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 300 WGDD (Tab)TJ - 55 .
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: NTD24N06 | 2SK3904 | SCT2H12NZ | FCH47N60F | WML10N80M3 | WST3034 | 2SK2704
History: NTD24N06 | 2SK3904 | SCT2H12NZ | FCH47N60F | WML10N80M3 | WST3034 | 2SK2704



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet