Справочник MOSFET. IXTQ180N10T

 

IXTQ180N10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTQ180N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 151 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IXTQ180N10T

 

 

IXTQ180N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixth180n10t ixtq180n10t.pdf

IXTQ180N10T IXTQ180N10T

Preliminary Technical InformationIXTH180N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTQ180N10T ID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 VTO

 6.1. Size:203K  ixys
 ixth180n085t ixtq180n085t.pdf

IXTQ180N10T IXTQ180N10T

Preliminary Technical InformationIXTH180N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ180N085T ID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DSVDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VTO-

 6.2. Size:108K  ixys
 ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf

IXTQ180N10T IXTQ180N10T

Advance Technical InformationIXTQ 180N055T VDSS = 55 VTrench GateIXTA 180N055T ID25 = 180 APower MOSFETIXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 180 AIDRM

 8.1. Size:211K  ixys
 ixth182n055t ixtq182n055t.pdf

IXTQ180N10T IXTQ180N10T

Preliminary Technical InformationIXTH182N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ182N055T ID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VTO-3P

 8.2. Size:171K  ixys
 ixtq18n60p ixtv18n60p.pdf

IXTQ180N10T IXTQ180N10T

IXTQ 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXTV 18N60PS RDS(on) 420 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGVGSM Tranisent 40 VD (TAB)DSID25 TC = 25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top