Справочник MOSFET. IXTQ220N075T

 

IXTQ220N075T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTQ220N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXTQ220N075T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ220N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ixys
 ixth220n075t ixtq220n075t.pdf pdf_icon

IXTQ220N075T

Preliminary Technical InformationIXTH220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTQ220N075T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VG(TAB)DVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VSVGSM Transient 20 VID25 TC = 25

 5.1. Size:204K  ixys
 ixth220n055t ixtq220n055t.pdf pdf_icon

IXTQ220N075T

Preliminary Technical InformationIXTH220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ220N055T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25 C to 175 C55 VSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VTO-

 8.1. Size:198K  ixys
 ixth22n50p ixtq22n50p ixtv22n50p.pdf pdf_icon

IXTQ220N075T

IXTH 22N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 22N50P ID25 = 22 APower MOSFETIXTV 22N50P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV 22N50PSAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VTO-3P (IXTQ)VGSM Trans

 8.2. Size:314K  ixys
 ixtq22n60p ixtv22n60p.pdf pdf_icon

IXTQ220N075T

IXTQ 22N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 22N60P ID25 = 22 APower MOSFET IXTV 22N60PS RDS (on) 350 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 V GD(TAB)SVGSM Tranisent 40 VID25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTQ180N10T , IXTQ182N055T , IXTQ18N60P , IXTQ200N06P , IXTQ200N075T , IXTQ200N085T , IXTQ200N10T , IXTQ220N055T , 5N60 , IXTQ22N50P , IXTQ22N60P , IXTQ230N085T , IXTQ23N60Q , IXTQ240N055T , IXTQ24N55Q , IXTQ250N075T , IXTQ26N50P .

History: TK5A60W5 | LSD65R180GT | CEU4060AL | TPCA8046-H | PHP79NQ08LT | ELM529575A | FCPF400N80ZCN

 

 
Back to Top

 


 
.