Справочник MOSFET. IXTQ220N075T

 

IXTQ220N075T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTQ220N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ220N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ixys
ixth220n075t ixtq220n075t.pdfpdf_icon

IXTQ220N075T

Preliminary Technical InformationIXTH220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTQ220N075T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VG(TAB)DVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VSVGSM Transient 20 VID25 TC = 25

 5.1. Size:204K  ixys
ixth220n055t ixtq220n055t.pdfpdf_icon

IXTQ220N075T

Preliminary Technical InformationIXTH220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ220N055T ID25 = 220 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25 C to 175 C55 VSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VTO-

 8.1. Size:198K  ixys
ixth22n50p ixtq22n50p ixtv22n50p.pdfpdf_icon

IXTQ220N075T

IXTH 22N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 22N50P ID25 = 22 APower MOSFETIXTV 22N50P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV 22N50PSAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DVDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VTO-3P (IXTQ)VGSM Trans

 8.2. Size:314K  ixys
ixtq22n60p ixtv22n60p.pdfpdf_icon

IXTQ220N075T

IXTQ 22N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 22N60P ID25 = 22 APower MOSFET IXTV 22N60PS RDS (on) 350 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 V GD(TAB)SVGSM Tranisent 40 VID25

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SPP80N06S2-08 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | RSD140P06FRA | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.