Справочник MOSFET. IXTQ30N50L2

 

IXTQ30N50L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTQ30N50L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ30N50L2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:142K  ixys
 ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L2

IXTH30N50L2 VDSS = 500VLinear L2TM PowerIXTQ30N50L2 ID25 = 30AMOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)RGiwwG OO(TAB)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continu

 5.1. Size:336K  ixys
 ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L2

VDSS = 500 VIXTH 30N50PPolarHVTMID25 = 30 AIXTQ 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50PN-Channel Enhancement ModeIXTV 30N50PAvalanche RatedIXTV 30N50PSTO-247 AD (IXTH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo

 7.1. Size:352K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L2

IXTH 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ 30N60P ID25 = 30 APower MOSFET IXTT 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement ModeIXTV 30N60PAvalanche RatedIXTV 30N60PSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 7.2. Size:392K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p ixtv30n60ps.pdf pdf_icon

IXTQ30N50L2

IXTH 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ 30N60P ID25 = 30 APower MOSFET IXTT 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement ModeIXTV 30N60PAvalanche RatedIXTV 30N60PSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Transient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK1413 | AP4604IN | IRL8113LPBF | STD14NM50N | 2SK1471 | IRLSZ34A | 2SK1637

 

 
Back to Top

 


 
.