IXTQ42N25P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTQ42N25P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTQ42N25P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ42N25P даташит

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta42n25p ixtp42n25p ixtq42n25p.pdf pdf_icon

IXTQ42N25P

IXTA 42N25P VDSS = 250 V PolarHTTM IXTP 42N25P ID25 = 42 A Power MOSFET IXTQ 42N25P RDS(on) 84 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V (TAB) VGS Continuous 20 V TO-220 (IXTP) VGSM Transient 3

 9.1. Size:89K  ixys
 ixtq470p2.pdf pdf_icon

IXTQ42N25P

Advance Technical Information PolarP2TM VDSS = 500V IXTQ470P2 ID25 = 42A Power MOSFET RDS(on) 145m trr(typ) = 400ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-3P Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V G D VGSS Continuous 30 V S Tab VGSM

 9.2. Size:148K  ixys
 ixtq44n50p.pdf pdf_icon

IXTQ42N25P

IXTQ 44N50P VDSS = 500 V PolarHVTM ID25 = 44 A Power MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V G ID25 TC = 25 C44 A D (TAB) IDM TC = 25

 9.3. Size:154K  ixys
 ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdf pdf_icon

IXTQ42N25P

PolarP2TM VDSS = 500V IXTA460P2 ID25 = 24A Power MOSFET IXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2 N-Channel Enhancement Mode trr(typ) = 400ns Avalanche Rated IXTH460P2 Fast Intrinsic Diode TO-220AB (IXTP) TO-263 AA (IXTA) TO-3P (IXTQ) G G S D G D S D (Tab) D (Tab) S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTQ30N60L2, IXTQ30N60P, IXTQ32P20T, IXTQ36N30P, IXTQ36N50P, IXTQ36P15P, IXTQ40N50L2, IXTQ40N50Q, BS170, IXTQ44N50P, IXTQ44P15T, IXTQ450P2, IXTQ460P2, IXTQ470P2, IXTQ480P2, IXTQ48N20T, IXTQ50N20P