Справочник MOSFET. IXTQ44N50P

 

IXTQ44N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTQ44N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ44N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ixys
ixtq44n50p.pdfpdf_icon

IXTQ44N50P

IXTQ 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 44 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transient 40 VGID25 TC = 25 C44 AD(TAB)IDM TC = 25

 9.1. Size:89K  ixys
ixtq470p2.pdfpdf_icon

IXTQ44N50P

Advance Technical InformationPolarP2TM VDSS = 500VIXTQ470P2ID25 = 42APower MOSFET RDS(on) 145m trr(typ) = 400nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-3PSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VGDVGSS Continuous 30 VSTabVGSM

 9.2. Size:154K  ixys
ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdfpdf_icon

IXTQ44N50P

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

 9.3. Size:156K  ixys
ixta460p2 ixtp460p2 ixtq460p2 ixth460p2.pdfpdf_icon

IXTQ44N50P

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.