IXTQ48N20T - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTQ48N20T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTQ48N20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXTQ48N20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ48N20T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:89K  ixys
 ixtq480p2.pdf pdf_icon

IXTQ48N20T

Advance Technical InformationPolarP2TM VDSS = 500VIXTQ480P2ID25 = 52APower MOSFET RDS(on) 120m trr(typ) = 400nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-3PSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VGDVGSS Continuous 30 VSTabVGSM

 9.1. Size:89K  ixys
 ixtq470p2.pdf pdf_icon

IXTQ48N20T

Advance Technical InformationPolarP2TM VDSS = 500VIXTQ470P2ID25 = 42APower MOSFET RDS(on) 145m trr(typ) = 400nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-3PSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VGDVGSS Continuous 30 VSTabVGSM

 9.2. Size:148K  ixys
 ixtq44n50p.pdf pdf_icon

IXTQ48N20T

IXTQ 44N50P VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 44 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transient 40 VGID25 TC = 25 C44 AD(TAB)IDM TC = 25

 9.3. Size:154K  ixys
 ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdf pdf_icon

IXTQ48N20T

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTQ40N50Q , IXTQ42N25P , IXTQ44N50P , IXTQ44P15T , IXTQ450P2 , IXTQ460P2 , IXTQ470P2 , IXTQ480P2 , RFP50N06 , IXTQ50N20P , IXTQ50N25T , IXTQ50N28T , IXTQ52N30P , IXTQ52P10P , IXTQ60N10T , IXTQ60N20L2 , IXTQ60N20T .

 

 
Back to Top

 


 
.