Справочник MOSFET. IXTQ75N10P

 

IXTQ75N10P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTQ75N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 74 nC
   Время нарастания (tr): 120 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IXTQ75N10P

 

 

IXTQ75N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ixys
ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf

IXTQ75N10P IXTQ75N10P

IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient

 9.1. Size:170K  ixys
ixtq74n20p ixtt74n20p.pdf

IXTQ75N10P IXTQ75N10P

IXTQ 74N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTT 74N20P ID25 = 74 APower MOSFET RDS(on) 34 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C74 A(TAB

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top