Справочник MOSFET. IXTQ75N10P

 

IXTQ75N10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTQ75N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXTQ75N10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ75N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf pdf_icon

IXTQ75N10P

IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient

 9.1. Size:170K  ixys
 ixtq74n20p ixtt74n20p.pdf pdf_icon

IXTQ75N10P

IXTQ 74N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTT 74N20P ID25 = 74 APower MOSFET RDS(on) 34 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C74 A(TAB

Другие MOSFET... IXTQ60N10T , IXTQ60N20L2 , IXTQ60N20T , IXTQ62N15P , IXTQ64N25P , IXTQ69N30P , IXTQ69N30PM , IXTQ74N20P , IRF730 , IXTQ76N25T , IXTQ82N25P , IXTQ86N20T , IXTQ86N25T , IXTQ88N28T , IXTQ88N30P , IXTQ90N15T , IXTQ96N15P .

History: NP20N10YDF | 2SK277 | CET0215 | MCG30N03A

 

 
Back to Top

 


 
.