IXTQ75N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTQ75N10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTQ75N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ75N10P даташит

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf pdf_icon

IXTQ75N10P

IXTA 75N10P VDSS = 100 V PolarHTTM IXTP 75N10P ID25 = 75 A Power MOSFET IXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G S VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V (TAB) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGS Continuous 20 V TO-220 (IXTP) VGSM Transient

 9.1. Size:170K  ixys
 ixtq74n20p ixtt74n20p.pdf pdf_icon

IXTQ75N10P

IXTQ 74N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTT 74N20P ID25 = 74 A Power MOSFET RDS(on) 34 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G D ID25 TC = 25 C74 A (TAB

Другие IGBT... IXTQ60N10T, IXTQ60N20L2, IXTQ60N20T, IXTQ62N15P, IXTQ64N25P, IXTQ69N30P, IXTQ69N30PM, IXTQ74N20P, IRFB31N20D, IXTQ76N25T, IXTQ82N25P, IXTQ86N20T, IXTQ86N25T, IXTQ88N28T, IXTQ88N30P, IXTQ90N15T, IXTQ96N15P