IXTR48P20P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IXTR48P20P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IXTR48P20P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXTR48P20P даташит
No data!
Другие IGBT... IXTR16P60P, IXTR170P10P, IXTR200N10P, IXTR20P50P, IXTR30N25, IXTR32P60P, IXTR36P15P, IXTR40P50P, AO4468, IXTR62N15P, IXTR90P10P, IXTR90P20P, IXTT100N25P, IXTT10N100D, IXTT10N100D2, IXTT10P50, IXTT10P60
History: MSU4N40 | MSK7N80F | AGM55P10D | AP36016M | SI5515CDC | AP0904GP-HF | AP10N012P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600
