IXTR90P10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTR90P10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 144 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTR90P10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR90P10P даташит

No data!

Другие IGBT... IXTR200N10P, IXTR20P50P, IXTR30N25, IXTR32P60P, IXTR36P15P, IXTR40P50P, IXTR48P20P, IXTR62N15P, IRFZ44N, IXTR90P20P, IXTT100N25P, IXTT10N100D, IXTT10N100D2, IXTT10P50, IXTT10P60, IXTT110N10L2, IXTT110N10P