IXTR90P10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXTR90P10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 144 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам