IXTT12N140 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IXTT12N140 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 140 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1200 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO268
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IXTT12N140
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IXTT12N140 даташит
ixtt12n150 ixth12n150.pdf
High Voltage VDSS = 1500V IXTT12N150 ID25 = 12A Power MOSFET IXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-268 (IXTT) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V VGSS Continuous 30 V TO-247 (IXTH) VG
ixth12n150 ixtt12n150.pdf
High Voltage VDSS = 1500V IXTT12N150 ID25 = 12A Power MOSFETs IXTH12N150 RDS(on) 2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-268 (IXTT) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V VGSS Continuous 30 V TO-247 (IXTH) VGSM Transient
ixtt12n150hv.pdf
High Voltage VDSS = 1500V IXTT12N150HV ID25 = 12A Power MOSFET RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268HV G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V G = Gate D = Drain VGSS Continuous 30 V
Другие IGBT... IXTT10N100D, IXTT10N100D2, IXTT10P50, IXTT10P60, IXTT110N10L2, IXTT110N10P, IXTT11P50, IXTT120N15P, IRF1404, IXTT140N10P, IXTT16N10D2, IXTT16N20D2, IXTT16N50D2, IXTT16P60P, IXTT170N10P, IXTT1N100, IXTT20N50D
History: WST2088 | MSK7N80F | TSK65R190S2 | MSU2N60S | SI5515CDC | AP0904GP-HF | AP10N012P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647



