Справочник MOSFET. IXTT50P085

 

IXTT50P085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT50P085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXTT50P085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT50P085 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:187K  ixys
 ixth500n04t2 ixtt500n04t2.pdf pdf_icon

IXTT50P085

Advance Technical InformationTrenchT2TM VDSS = 40VIXTH500N04T2ID25 = 500APower MOSFETIXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Fast Intrinsic DiodeGDD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C40 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 VTO-268 (IXTT)VGSM T

 9.1. Size:168K  ixys
 ixtq52n30p ixtt52n30p.pdf pdf_icon

IXTT50P085

IXTQ52N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT52N30P ID25 = 52 APower MOSFET RDS(on) 66 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C52 AD(TAB)

Другие MOSFET... IXTT30N60P , IXTT360N055T2 , IXTT36N50P , IXTT40N50L2 , IXTT440N055T2 , IXTT48P20P , IXTT500N04T2 , IXTT50N30 , 8205A , IXTT50P10 , IXTT52N30P , IXTT60N10 , IXTT60N20L2 , IXTT64N25P , IXTT68P20T , IXTT69N30P , IXTT6N120 .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | AP9938AGEY | IXFT16N120P | SQ2348ES | AP18T10GJ

 

 
Back to Top

 


 
.