Справочник MOSFET. IXTT60N20L2

 

IXTT60N20L2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTT60N20L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 255 nC
   trⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXTT60N20L2

 

 

IXTT60N20L2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:149K  ixys
 ixtt60n20l2-ixtq60n20l2-ixth60n20l2.pdf

IXTT60N20L2 IXTT60N20L2

Advance Technical InformationLinear L2TM Power VDSS = 200VIXTT60N20L2MOSFET w/ Extended ID25 = 60AIXTQ60N20L2 RDS(on) 45m FBSOAIXTH60N20L2TO-268 (IXTT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS

 9.1. Size:169K  ixys
 ixtq69n30p ixtt69n30p.pdf

IXTT60N20L2 IXTT60N20L2

IXTQ69N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT69N30P ID25 = 69 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C69 A(TAB)

 9.2. Size:128K  ixys
 ixtt6n150.pdf

IXTT60N20L2 IXTT60N20L2

High Voltage VDSS = 1500VIXTT6N150ID25 = 6APower MOSFETsIXTH6N150 RDS(on) 3.5 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient

 9.3. Size:171K  ixys
 ixtq64n25p ixtt64n25p.pdf

IXTT60N20L2 IXTT60N20L2

VDSS = 250 VIXTQ 64N25PPolarHTTMID25 = 64 AIXTT 64N25PPower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C64 A(TAB

 9.4. Size:588K  ixys
 ixth6n120 ixtt6n120.pdf

IXTT60N20L2 IXTT60N20L2

IXTH 6N120 VDSS = 1200 VHigh VoltageIXTT 6N120 ID25 = 6 APower MOSFET RDS(on) = 2.6 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedPreliminary Data SheetTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top