Справочник MOSFET. IXTT68P20T

 

IXTT68P20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT68P20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 380 nC
   trⓘ - Время нарастания: 245 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO268
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT68P20T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:169K  ixys
 ixtq69n30p ixtt69n30p.pdf pdf_icon

IXTT68P20T

IXTQ69N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT69N30P ID25 = 69 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C69 A(TAB)

 9.2. Size:128K  ixys
 ixtt6n150.pdf pdf_icon

IXTT68P20T

High Voltage VDSS = 1500VIXTT6N150ID25 = 6APower MOSFETsIXTH6N150 RDS(on) 3.5 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient

 9.3. Size:171K  ixys
 ixtq64n25p ixtt64n25p.pdf pdf_icon

IXTT68P20T

VDSS = 250 VIXTQ 64N25PPolarHTTMID25 = 64 AIXTT 64N25PPower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C64 A(TAB

 9.4. Size:149K  ixys
 ixtt60n20l2-ixtq60n20l2-ixth60n20l2.pdf pdf_icon

IXTT68P20T

Advance Technical InformationLinear L2TM Power VDSS = 200VIXTT60N20L2MOSFET w/ Extended ID25 = 60AIXTQ60N20L2 RDS(on) 45m FBSOAIXTH60N20L2TO-268 (IXTT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTT500N04T2 , IXTT50N30 , IXTT50P085 , IXTT50P10 , IXTT52N30P , IXTT60N10 , IXTT60N20L2 , IXTT64N25P , 5N60 , IXTT69N30P , IXTT6N120 , IXTT72N10 , IXTT72N20 , IXTT74N20P , IXTT75N10 , IXTT75N10L2 , IXTT75N15 .

History: IXTQ200N075T | APT5014LVR | AOTF10N65 | 7NM70G-TF2-T | DMC3018LSD | QM2413V | HCD70R910

 

 
Back to Top

 


 
.